总投资30亿元，厂区占地面积218亩。建筑总面积140000㎡。购置各类设备1554台（套），达产后年产4万吨高速电子铜箔及载体铜箔，年产值44亿元，利税4.4亿元。
设计产能：年产900 万张高速覆铜板及IC 载板。
产品定位：替代国外进口对国防工业安全上有影响的高速微波通讯材料，以及芯片封测IC载板。本项目建设消除国外技术封锁、替代进口、保障国家电子材料供应链基本安全。
年产900 万张高速覆铜板及IC 载板
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